- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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获得报价 |
1,138
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 250V 44A TO247 | HiPerFET™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | ISO TO-247-3 | 104W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 44A (Tc) | 18 mOhm @ 40A, 10V | 4.5V @ 1.5mA | 83nC @ 10V | 5430pF @ 25V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
3,433
有现货
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IXYS | MOSFET N-CH 850V 9.5A TO247 | HiPerFET™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | ISO TO-247-3 | 110W (Tc) | N-Channel | - | 850V | 9.5A (Tc) | 360 mOhm @ 10A, 10V | 5.5V @ 2.5mA | 63nC @ 10V | 1660pF @ 25V | 10V | ±30V |
粤ICP备2022113175号-1