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Vgs(th)(最大)@Id :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
SI8410DB-T2-E1
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V MICROFOOT TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-UFBGA 4-Micro Foot (1x1) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) N-Channel 20V - 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V 850mV @ 250µA 16nC @ 8V 620pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V MICROFOOT TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-UFBGA 4-Micro Foot (1x1) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) N-Channel 20V - 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V 850mV @ 250µA 16nC @ 8V 620pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V MICROFOOT TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-UFBGA 4-Micro Foot (1x1) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) N-Channel 20V - 37 mOhm @ 1.5A, 4.5V 850mV @ 250µA 16nC @ 8V 620pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO TrenchFET® Active Digi-Reel® MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-UFBGA 4-Micro Foot (1x1) 780mW (Ta) N-Channel 20V - 44 mOhm @ 1.5A, 4.5V 900mV @ 250µA 18nC @ 8V 630pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
SI8472DB-T2-E1
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO TrenchFET® Active Cut Tape (CT) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-UFBGA 4-Micro Foot (1x1) 780mW (Ta) N-Channel 20V - 44 mOhm @ 1.5A, 4.5V 900mV @ 250µA 18nC @ 8V 630pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
SI8472DB-T2-E1
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Vishay Siliconix MOSFET N-CH 20V 3.3A MICRO TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-UFBGA 4-Micro Foot (1x1) 780mW (Ta), 1.8W (Tc) N-Channel 20V - 44 mOhm @ 1.5A, 4.5V 900mV @ 250µA 18nC @ 8V 630pF @ 10V 1.5V, 4.5V ±8V
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