- 零件状态 :
- 包装/箱 :
- 功耗（最大） :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
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- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,271
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V TO-247-3 | CoolMOS™ C7 | Last Time Buy | - | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | PG-TO247 | 227W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 46A (Tc) | 45 mOhm @ 24.9A, 10V | 4V @ 1.25mA | 93nC @ 10V | 4.34nF @ 400V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
2,406
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 24A TO247 | CoolMOS™ | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-3 | PG-TO247 | 128W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 24A (Tc) | 95 mOhm @ 11.8A, 10V | 4V @ 590µA | 45nC @ 10V | 2140pF @ 400V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,729
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET N-CH 650V 46A TO247-4 | CoolMOS™ C7 | Active | Tube | MOSFET (Metal Oxide) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | TO-247-4 | PG-TO247 | 227W (Tc) | N-Channel | - | 650V | 46A (Tc) | 45 mOhm @ 24.9A, 10V | 4V @ 1.25mA | 93nC @ 10V | 4340pF @ 400V | 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1