晶体管 - FET，MOSFET - 单电池 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	技术	工作温度	安装类型	包装/箱	供应商设备包	功耗（最大）	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds	驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通）	Vgs（最大值）
STW26N60M2	单位 $2.40	获得报价	PDF RFQ	3,754 有现货	STMicroelectronics	MOSFET N-CH 600V 20A TO247	MDmesh™ M2	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247 (IXFH)	169W (Tc)	N-Channel	-	600V	20A (Tc)	165 mOhm @ 10A, 10V	4V @ 250µA	34nC @ 10V	1360pF @ 100V	10V	±25V
IXFH80N25X3	单位 $8.27	获得报价	PDF RFQ	2,573 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 250V 80A TO247	HiPerFET™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247 (IXFH)	390W (Tc)	N-Channel	-	250V	80A (Tc)	16 mOhm @ 40A, 10V	4.5V @ 1.5mA	83nC @ 10V	5430pF @ 25V	10V	±20V
IXFH21N50F	单位 $12.26	获得报价	PDF RFQ	2,525 有现货	IXYS-RF	MOSFET N-CH 500V 21A TO247	HiPerRF™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247 (IXFH)	300W (Tc)	N-Channel	-	500V	21A (Tc)	250 mOhm @ 10.5A, 10V	5.5V @ 4mA	77nC @ 10V	2600pF @ 25V	10V	±20V
IXFH6N100F	单位 $9.13	获得报价	PDF RFQ	1,776 有现货	IXYS-RF	MOSFET N-CH 1000V 6A TO247	HiPerRF™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247 (IXFH)	180W (Tc)	N-Channel	-	1000V	6A (Tc)	1.9 Ohm @ 3A, 10V	5.5V @ 2.5mA	54nC @ 10V	1770pF @ 25V	10V	±20V
IXFH12N50F	单位 $9.13	获得报价	PDF RFQ	2,657 有现货	IXYS-RF	MOSFET N-CH 500V 12A TO247	HiPerRF™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247 (IXFH)	180W (Tc)	N-Channel	-	500V	12A (Tc)	400 mOhm @ 6A, 10V	5.5V @ 2.5mA	54nC @ 10V	1870pF @ 25V	10V	±20V
IXFH170N25X3	单位 $14.64	获得报价	PDF RFQ	1,516 有现货	IXYS	MOSFET N-CH 250V 170A TO247	HiPerFET™	Active	Tube	MOSFET (Metal Oxide)	-55°C ~ 150°C (TJ)	Through Hole	TO-247-3	TO-247 (IXFH)	960W (Tc)	N-Channel	-	250V	170A (Tc)	7.4 mOhm @ 85A, 10V	4.5V @ 4mA	190nC @ 10V	13500pF @ 25V	10V	±20V