- 功耗（最大） :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
1,619
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET N-CH 20V 7A 6SON | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerWDFN | 6-HUSON (2x2) | 2.4W (Ta) | N-Channel | 20V | 7A (Ta) | 19.1 mOhm @ 3.5A, 2.5V | 7.9nC @ 10V | 870pF @ 10V | 2.5V, 4.5V | ±12V | ||
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获得报价 |
1,511
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 20V 6A 6SON | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerWDFN | 6-HUSON (2x2) | 2.5W (Ta) | P-Channel | 20V | 6A (Ta) | 62 mOhm @ 3A, 1.8V | 12.5nC @ 4.5V | 1240pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V | ||
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获得报价 |
1,618
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET P-CH 12V 7A 6SON | - | Active | Tape & Reel (TR) | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerWDFN | 6-HUSON (2x2) | 2.5W (Ta) | P-Channel | 12V | 7A (Ta) | 59 mOhm @ 3.5A, 1.8V | 11.3nC @ 4.5V | 1260pF @ 10V | 1.8V, 4.5V | ±8V |
粤ICP备2022113175号-1