- 系列 :
- 零件状态 :
- 功耗（最大） :
- FET型 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
- 输入电容（Ciss）（最大）@Vds :
- 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） :
4 产品
| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 技术 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 供应商设备包 | 功耗（最大） | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | 驱动电压（最大Rds接通，最小Rds接通） | Vgs（最大值） | |
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获得报价 |
3,568
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 250V 4.5A PW-MOLD2 | - | Obsolete | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Stub Leads, IPak | PW-MOLD2 | 20W (Tc) | N-Channel | - | 250V | 4.5A (Ta) | 1 Ohm @ 2.5A, 10V | 3.5V @ 1mA | 10nC @ 10V | 440pF @ 10V | 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
603
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET P-CH 60V 5A PW-MOLD | - | Obsolete | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Stub Leads, IPak | PW-MOLD2 | 20W (Ta) | P-Channel | - | 60V | 5A (Ta) | 170 mOhm @ 2.5A, 10V | 2V @ 1mA | 15nC @ 10V | 700pF @ 10V | 4V, 10V | ±20V | ||
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获得报价 |
1,118
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 600V 2A PW-MOLD | π-MOSVII | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Stub Leads, IPak | PW-MOLD2 | 60W (Tc) | N-Channel | - | 600V | 2A (Ta) | 4.3 Ohm @ 1A, 10V | 4.4V @ 1mA | 7nC @ 10V | 280pF @ 25V | 10V | ±30V | ||
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获得报价 |
2,414
有现货
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N-CH 60V 5A PW-MOLD2 | U-MOSIII | Active | Bulk | MOSFET (Metal Oxide) | 150°C (TJ) | Through Hole | TO-251-3 Stub Leads, IPak | PW-MOLD2 | 20W (Tc) | N-Channel | - | 60V | 5A (Ta) | 100 mOhm @ 2.5A, 10V | 2.5V @ 1mA | 15nC @ 10V | 730pF @ 10V | 4V, 10V | ±20V |
粤ICP备2022113175号-1