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功耗(最大) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
2SK2315TYTR-E
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH 60V 2A 4-UPAK - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-243AA UPAK 1W (Ta) N-Channel 60V 2A (Ta) 450 mOhm @ 1A, 4V - 173pF @ 10V 3V, 4V ±20V
RQK0607AQDQS#H1
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Renesas Electronics America MOSFET N-CH - Active Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount TO-243AA UPAK 1.5W (Ta) N-Channel 60V 2.4A (Ta) 270 mOhm @ 1.2A, 4.5V 2nC @ 4.5V 170pF @ 10V 2.5V, 4.5V ±12V
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