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功耗(最大) :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) :
Vgs(最大值) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 技术 工作温度 安装类型 包装/箱 供应商设备包 功耗(最大) FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds 驱动电压(最大Rds接通,最小Rds接通) Vgs(最大值)
EMH1405-P-TL-H
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RFQ
691
有现货
ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8 - Obsolete Tape & Reel (TR) - 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead 8-EMH - - - - - - - - - -
EMH2801-TL-H
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RFQ
3,851
有现货
ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 3A EMH8 - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead 8-EMH 1W (Ta) P-Channel Schottky Diode (Isolated) 20V 3A (Ta) 85 mOhm @ 1.5A, 4.5V 4nC @ 4.5V 320pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±10V
EMH1405-TL-H
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RFQ
1,780
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ON Semiconductor MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8 - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead 8-EMH 1.5W (Ta) N-Channel - 30V 8.5A (Ta) 19 mOhm @ 4A, 10V 15nC @ 10V 820pF @ 10V 4V, 10V ±20V
EMH1307-TL-H
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RFQ
3,864
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ON Semiconductor MOSFET P-CH 20V 6.5A EMH8 - Obsolete Tape & Reel (TR) MOSFET (Metal Oxide) 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead 8-EMH 1.5W (Ta) P-Channel - 20V 6.5A (Ta) 26 mOhm @ 3A, 4.5V 13nC @ 4.5V 1100pF @ 10V 1.8V, 4.5V ±10V
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