- 系列 :
- 零件状态 :
- 最大功率 :
- 供应商设备包 :
- FET特性 :
- 25°C时的电流-连续漏极（Id） :
- Rds开启（最大）@Id，Vgs :
- Vgs（th）（最大）@Id :
- 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | |
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获得报价 |
3,284
有现货
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Renesas Electronics America | MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC | - | Active | Tape & Reel (TR) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) | 2W | 8-SOP | 2 N-Channel (Dual) | Standard | 60V | 7A | 35 mOhm @ 3.5A, 10V | - | 29nC @ 10V | 1300pF @ 10V | ||
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获得报价 |
3,463
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 14.1A 14-SOIC | TrenchFET® | Obsolete | Digi-Reel® | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 3W, 5.4W | 14-SOIC | 2 N-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 20V | 14.1A, 20A | 9.4 mOhm @ 11.5A, 10V | 3V @ 250µA | 32nC @ 10V | 1300pF @ 10V | ||
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获得报价 |
888
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 14.1A 14-SOIC | TrenchFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 3W, 5.4W | 14-SOIC | 2 N-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 20V | 14.1A, 20A | 9.4 mOhm @ 11.5A, 10V | 3V @ 250µA | 32nC @ 10V | 1300pF @ 10V | ||
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获得报价 |
3,422
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 14.1A 14-SOIC | TrenchFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 3W, 5.4W | 14-SOIC | 2 N-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 20V | 14.1A, 20A | 9.4 mOhm @ 11.5A, 10V | 3V @ 250µA | 32nC @ 10V | 1300pF @ 10V | ||
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获得报价 |
2,373
有现货
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Vishay Siliconix | MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8 | TrenchFET® | Active | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerPair™ | 2.36W, 2.8W | 6-PowerPair™ | 2 N-Channel (Half Bridge) | Standard | 20V | 16A | 8.6 mOhm @ 15A, 10V | 2.2V @ 250µA | 35nC @ 10V | 1300pF @ 10V |
粤ICP备2022113175号-1