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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET 2P-CH 20V 0.33A ES6 | - | Active | Tape & Reel (TR) | 150°C (TJ) | Surface Mount | SOT-563, SOT-666 | 150mW | ES6 (1.6x1.6) | 2 P-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 20V | 330mA | 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V | 1V @ 1mA | 1.2nC @ 4V | 43pF @ 10V |