- 包装/箱 :
- 漏极-源极电压(Vdss) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
4 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
获得报价 |
3,742
有现货
|
Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1200V 14A SP1 | - | Obsolete | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP1 | 357W | 2 N-Channel (Half Bridge) | Standard | 1200V (1.2kV) | 14A | 960 mOhm @ 12A, 10V | 5V @ 2.5mA | 260nC @ 10V | 6696pF @ 25V | |||
|
获得报价 |
1,799
有现货
|
Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1000V 19A SP1 | - | Obsolete | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP1 | 357W | 2 N-Channel (Half Bridge) | Standard | 1000V (1kV) | 19A | 552 mOhm @ 16A, 10V | 5V @ 2.5mA | 260nC @ 10V | 6800pF @ 25V | |||
|
获得报价 |
1,412
有现货
|
IXYS | MOSFET 4N-CH 100V 75A ECO-PAC2 | HiPerFET™ | Not For New Designs | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | ECO-PAC2 | 300W | 4 N-Channel (H-Bridge) | Standard | 100V | 75A | 25 mOhm @ 500mA, 10V | 4V @ 4mA | 260nC @ 10V | 4500pF @ 25V | |||
|
获得报价 |
3,175
有现货
|
Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1000V 19A SP3 | POWER MOS 8™ | Active | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP3 | 357W | 4 N-Channel (H-Bridge) | Standard | 1000V (1kV) | 19A | 552 mOhm @ 16A, 10V | 5V @ 2.5mA | 260nC @ 10V | 6800pF @ 25V |