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最大功率 :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
SIA911EDJ-T1-GE3
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1,762
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Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual 7.8W PowerPAK® SC-70-6 Dual 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.5A 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V 1V @ 250µA 11nC @ 8V -
SIA911EDJ-T1-GE3
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RFQ
617
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Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 TrenchFET® Obsolete Cut Tape (CT) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual 7.8W PowerPAK® SC-70-6 Dual 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.5A 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V 1V @ 250µA 11nC @ 8V -
SIA911EDJ-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6 TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual 7.8W PowerPAK® SC-70-6 Dual 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.5A 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V 1V @ 250µA 11nC @ 8V -
SI5905BDC-T1-GE3
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Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead 3.1W 1206-8 ChipFET™ 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 8V 4A 80 mOhm @ 3.3A, 4.5V 1V @ 250µA 11nC @ 8V 350pF @ 4V
SI5905BDC-T1-E3
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Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 8V 4A 1206-8 TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead 3.1W 1206-8 ChipFET™ 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 8V 4A 80 mOhm @ 3.3A, 4.5V 1V @ 250µA 11nC @ 8V 350pF @ 4V
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