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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
APTMC120TAM33CTPAG
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RFQ
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Microsemi Corporation MOSFET 6N-CH 1200V 78A SP6-P - Active Bulk -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP6 370W SP6-P 6 N-Channel (3-Phase Bridge) Standard 1200V (1.2kV) 78A 33 mOhm @ 60A, 20V 2.2V @ 3mA (Typ) 148nC @ 20V 2850pF @ 1000V
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