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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
IRF7314QTRPBF
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RFQ
3,641
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Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SOIC HEXFET® Obsolete Digi-Reel® -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 2.4W 8-SO 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 5.2A 58 mOhm @ 5.2A, 4.5V 700mV @ 250µA 29nC @ 4.5V 913pF @ 15V
IRF7314QTRPBF
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959
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Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 20V 5.2A 8SOIC HEXFET® Obsolete Cut Tape (CT) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 2.4W 8-SO 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 5.2A 58 mOhm @ 5.2A, 4.5V 700mV @ 250µA 29nC @ 4.5V 913pF @ 15V
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1,430
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ON Semiconductor MOSFET 2N-CH EFCP - Active Tape & Reel (TR) 150°C (TJ) Surface Mount 6-XFBGA 1.6W 6-EFCP (1.9x1.46) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 2.5V Drive - - - - 29nC @ 4.5V -
EFC4621R-TR
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RFQ
2,416
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ON Semiconductor MOSFET 2N-CH EFCP - Active Tape & Reel (TR) 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, FCBGA 1.6W EFCP1616-4CE-022 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 2.5V Drive - - - - 29nC @ 4.5V -
DMN2023UCB4-7
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3,902
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Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4 - Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, WLBGA 1.45W X1-WLB1818-4 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate - - - - 29nC @ 4.5V -
DMN2023UCB4-7
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$0.62
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RFQ
3,581
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Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4 - Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, WLBGA 1.45W X1-WLB1818-4 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate - - - - 29nC @ 4.5V -
DMN2023UCB4-7
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RFQ
3,786
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Diodes Incorporated MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4 - Active Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 4-XFBGA, WLBGA 1.45W X1-WLB1818-4 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate - - - - 29nC @ 4.5V -
IRF7314PBF
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3,238
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Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC HEXFET® Not For New Designs Tube -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 2W 8-SO 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 5.3A 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V 700mV @ 250µA 29nC @ 4.5V 780pF @ 15V
IRF7314TRPBF
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RFQ
2,348
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Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC HEXFET® Active Digi-Reel® -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 2W 8-SO 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 5.3A 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V 700mV @ 250µA 29nC @ 4.5V 780pF @ 15V
IRF7314TRPBF
单位
$0.92
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3,622
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Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC HEXFET® Active Cut Tape (CT) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 2W 8-SO 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 5.3A 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V 700mV @ 250µA 29nC @ 4.5V 780pF @ 15V
IRF7314TRPBF
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Infineon Technologies MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC HEXFET® Active Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 2W 8-SO 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 5.3A 58 mOhm @ 2.9A, 4.5V 700mV @ 250µA 29nC @ 4.5V 780pF @ 15V
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