- 包装材料 :
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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | |
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获得报价 |
2,181
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC | HEXFET® | Obsolete | Tube | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 2.4W | 8-SO | 2 N-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 30V | 5.3A | 50 mOhm @ 2.7A, 10V | 3V @ 100µA | 21nC @ 10V | 515pF @ 25V | ||
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获得报价 |
955
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 30V 5.3A 8SOIC | HEXFET® | Obsolete | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 175°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 2.4W | 8-SO | 2 N-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 30V | 5.3A | 50 mOhm @ 2.7A, 10V | 3V @ 100µA | 21nC @ 10V | 515pF @ 25V |
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