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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | |
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Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1200V 250A D3 | - | Active | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | D-3 Module | 1100W | D3 | 2 N-Channel (Half Bridge) | Standard | 1200V (1.2kV) | 250A | 10 mOhm @ 200A, 20V | 2.2V @ 10mA (Typ) | 490nC @ 20V | 9500pF @ 1000V |