- 零件状态 :
- 供应商设备包 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | |
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获得报价 |
1,055
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4A 8DSO | OptiMOS™ | Active | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 1.6W | PG-DSO-8 | 2 P-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 20V | 4A | 67 mOhm @ 4.6A, 4.5V | 1.2V @ 25µA | 10nC @ 4.5V | 1095pF @ 15V | |||
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获得报价 |
3,018
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC | OptiMOS™ | Obsolete | Cut Tape (CT) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 2W | P-DSO-8 | 2 P-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 20V | 4.7A | 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V | 1.2V @ 25µA | 23.9nC @ 4.5V | 920pF @ 15V | |||
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获得报价 |
2,562
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET 2P-CH 20V 4.7A 8SOIC | OptiMOS™ | Obsolete | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 2W | P-DSO-8 | 2 P-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 20V | 4.7A | 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V | 1.2V @ 25µA | 23.9nC @ 4.5V | 920pF @ 15V |