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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
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Microsemi Corporation MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB - Active Bulk -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 14-DIP (0.300", 7.62mm) 1.4W MO-036AB 4 N-Channel Standard 100V 1A 700 mOhm @ 600mA, 10V 4V @ 250µA 60nC @ 10V -
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Microsemi Corporation MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB Military, MIL-PRF-19500/597 Active Bulk -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 14-DIP (0.300", 7.62mm) 1.4W MO-036AB 4 N-Channel Standard 100V 1A 700 mOhm @ 600mA, 10V 4V @ 250µA 60nC @ 10V -
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Microsemi Corporation MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB Military, MIL-PRF-19500/597 Active Bulk -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 14-DIP (0.300", 7.62mm) 1.4W MO-036AB 4 N-Channel Standard 100V 1A 700 mOhm @ 600mA, 10V 4V @ 250µA 60nC @ 10V -
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Microsemi Corporation MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB Military, MIL-PRF-19500/597 Active Bulk -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole 14-DIP (0.300", 7.62mm) 1.4W MO-036AB 4 N-Channel Standard 100V 1A 700 mOhm @ 600mA, 10V 4V @ 250µA 60nC @ 10V -
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