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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
BTS7904BATMA1
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RFQ
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Infineon Technologies MOSFET N/P-CH 55V/30V 40A TO263 OptiMOS™ Obsolete Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount TO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA 69W, 96W PG-TO263-5-1 N and P-Channel Logic Level Gate 55V, 30V 40A 11.7 mOhm @ 20A, 10V 2.2V @ 40µA 121nC @ 10V 6100pF @ 25V
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