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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
SIZ916DT-T1-GE3
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RFQ
3,087
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Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN 22.7W, 100W 8-PowerPair® (6x5) 2 N-Channel (Half Bridge) Standard 30V 16A, 40A 6.4 mOhm @ 19A, 10V 2.4V @ 250µA 26nC @ 10V 1208pF @ 15V
SIZ916DT-T1-GE3
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$1.85
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RFQ
1,388
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Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR TrenchFET® Obsolete Cut Tape (CT) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN 22.7W, 100W 8-PowerPair® (6x5) 2 N-Channel (Half Bridge) Standard 30V 16A, 40A 6.4 mOhm @ 19A, 10V 2.4V @ 250µA 26nC @ 10V 1208pF @ 15V
SIZ916DT-T1-GE3
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RFQ
3,222
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Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 16A POWERPAIR TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN 22.7W, 100W 8-PowerPair® (6x5) 2 N-Channel (Half Bridge) Standard 30V 16A, 40A 6.4 mOhm @ 19A, 10V 2.4V @ 250µA 26nC @ 10V 1208pF @ 15V
SIZ914DT-T1-GE3
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1,870
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Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR TrenchFET® Obsolete Digi-Reel® -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN 22.7W, 100W 8-PowerPair® 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 30V 16A, 40A 6.4 mOhm @ 19A, 10V 2.4V @ 250µA 26nC @ 10V 1208pF @ 15V
SIZ914DT-T1-GE3
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$1.82
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RFQ
3,833
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Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR TrenchFET® Obsolete Cut Tape (CT) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN 22.7W, 100W 8-PowerPair® 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 30V 16A, 40A 6.4 mOhm @ 19A, 10V 2.4V @ 250µA 26nC @ 10V 1208pF @ 15V
SIZ914DT-T1-GE3
单位
$0.77
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RFQ
2,830
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Vishay Siliconix MOSFET 2N-CH 30V 16A PWRPAIR TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerWDFN 22.7W, 100W 8-PowerPair® 2 N-Channel (Half Bridge) Logic Level Gate 30V 16A, 40A 6.4 mOhm @ 19A, 10V 2.4V @ 250µA 26nC @ 10V 1208pF @ 15V
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