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最大功率 :
漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
NTLJD2104PTBG
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RFQ
1,335
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ON Semiconductor MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN - Obsolete Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad 700mW 6-WDFN (2x2) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 2.4A 90 mOhm @ 3A, 4.5V 800mV @ 250µA 8nC @ 4.5V 467pF @ 6V
NTLJD2104PTAG
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RFQ
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ON Semiconductor MOSFET 2P-CH 12V 2.4A 6WDFN - Obsolete Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad 700mW 6-WDFN (2x2) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 12V 2.4A 90 mOhm @ 3A, 4.5V 800mV @ 250µA 8nC @ 4.5V 467pF @ 6V
NTHD5905T1
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RFQ
3,322
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ON Semiconductor MOSFET 2P-CH 8V 3A CHIPFET - Obsolete Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead 1.1W ChipFET™ 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 8V 3A 90 mOhm @ 3A, 4.5V 450mV @ 250µA 9nC @ 4.5V -
SI5905DC-T1-GE3
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RFQ
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Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8 TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead 1.1W 1206-8 ChipFET™ 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 8V 3A 90 mOhm @ 3A, 4.5V 450mV @ 250µA (Min) 9nC @ 4.5V -
SI5905DC-T1-E3
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Vishay Siliconix MOSFET 2P-CH 8V 3A 1206-8 TrenchFET® Obsolete Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-SMD, Flat Lead 1.1W 1206-8 ChipFET™ 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate 8V 3A 90 mOhm @ 3A, 4.5V 450mV @ 250µA (Min) 9nC @ 4.5V -
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