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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
IRLHS6276TRPBF
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RFQ
867
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Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN HEXFET® Active Digi-Reel® -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-VQFN 1.5W 6-PQFN (2x2) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.5A 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V 1.1V @ 10µA 3.1nC @ 4.5V 310pF @ 10V
IRLHS6276TRPBF
单位
$0.64
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RFQ
1,497
有现货
Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN HEXFET® Active Cut Tape (CT) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-VQFN 1.5W 6-PQFN (2x2) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.5A 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V 1.1V @ 10µA 3.1nC @ 4.5V 310pF @ 10V
IRLHS6276TRPBF
单位
$0.22
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RFQ
1,708
有现货
Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN HEXFET® Active Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-VQFN 1.5W 6-PQFN (2x2) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.5A 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V 1.1V @ 10µA 3.1nC @ 4.5V 310pF @ 10V
IRLHS6276TR2PBF
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RFQ
2,169
有现货
Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN HEXFET® Obsolete Digi-Reel® -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-PowerVDFN 1.5W 6-PQFN Dual (2x2) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.5A 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V 1.1V @ 10µA 3.1nC @ 4.5V 310pF @ 10V
IRLHS6276TR2PBF
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RFQ
1,298
有现货
Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN HEXFET® Obsolete Cut Tape (CT) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-PowerVDFN 1.5W 6-PQFN Dual (2x2) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.5A 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V 1.1V @ 10µA 3.1nC @ 4.5V 310pF @ 10V
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