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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | |
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获得报价 |
867
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN | HEXFET® | Active | Digi-Reel® | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-VQFN | 1.5W | 6-PQFN (2x2) | 2 N-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 20V | 4.5A | 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 3.1nC @ 4.5V | 310pF @ 10V | |||
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获得报价 |
1,497
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN | HEXFET® | Active | Cut Tape (CT) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-VQFN | 1.5W | 6-PQFN (2x2) | 2 N-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 20V | 4.5A | 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 3.1nC @ 4.5V | 310pF @ 10V | |||
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获得报价 |
1,708
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN | HEXFET® | Active | Tape & Reel (TR) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-VQFN | 1.5W | 6-PQFN (2x2) | 2 N-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 20V | 4.5A | 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 3.1nC @ 4.5V | 310pF @ 10V | |||
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获得报价 |
2,169
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN | HEXFET® | Obsolete | Digi-Reel® | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerVDFN | 1.5W | 6-PQFN Dual (2x2) | 2 N-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 20V | 4.5A | 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 3.1nC @ 4.5V | 310pF @ 10V | |||
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获得报价 |
1,298
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN | HEXFET® | Obsolete | Cut Tape (CT) | -55°C ~ 150°C (TJ) | Surface Mount | 6-PowerVDFN | 1.5W | 6-PQFN Dual (2x2) | 2 N-Channel (Dual) | Logic Level Gate | 20V | 4.5A | 45 mOhm @ 3.4A, 4.5V | 1.1V @ 10µA | 3.1nC @ 4.5V | 310pF @ 10V |