晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	工作温度	安装类型	包装/箱	最大功率	供应商设备包	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds
	BSZ215CHXTMA1	单位 $0.48	获得报价	PDF RFQ	3,385 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™	Active	Tape & Reel (TR)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	8-PowerTDFN	2.5W	PG-TSDSON-8-FL	N and P-Channel Complementary	Logic Level Gate, 2.5V Drive	20V	5.1A, 3.2A	55 mOhm @ 5.1A, 4.5V	1.4V @ 110µA	2.8nC @ 4.5V	419pF @ 10V
	BSZ15DC02KDHXTMA1		获得报价	PDF RFQ	3,792 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Active	Digi-Reel®	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	8-PowerTDFN	2.5W	PG-TSDSON-8-FL	N and P-Channel Complementary	Logic Level Gate, 2.5V Drive	20V	5.1A, 3.2A	55 mOhm @ 5.1A, 4.5V	1.4V @ 110µA	2.8nC @ 4.5V	419pF @ 10V
	BSZ15DC02KDHXTMA1	单位 $1.11	获得报价	PDF RFQ	1,768 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Active	Cut Tape (CT)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	8-PowerTDFN	2.5W	PG-TSDSON-8-FL	N and P-Channel Complementary	Logic Level Gate, 2.5V Drive	20V	5.1A, 3.2A	55 mOhm @ 5.1A, 4.5V	1.4V @ 110µA	2.8nC @ 4.5V	419pF @ 10V
	BSZ15DC02KDHXTMA1	单位 $0.41	获得报价	PDF RFQ	1,676 有现货	Infineon Technologies	MOSFET N/P-CH 20V 8TDSON	Automotive, AEC-Q101, HEXFET®	Active	Tape & Reel (TR)	-55°C ~ 175°C (TJ)	Surface Mount	8-PowerTDFN	2.5W	PG-TSDSON-8-FL	N and P-Channel Complementary	Logic Level Gate, 2.5V Drive	20V	5.1A, 3.2A	55 mOhm @ 5.1A, 4.5V	1.4V @ 110µA	2.8nC @ 4.5V	419pF @ 10V

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