- 包装/箱 :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- Vgs(th)(最大)@Id :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
3 产品
图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | |
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获得报价 |
1,364
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET 4N-CH 1200V 55A SP3F | - | Active | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP3 | 250W | 4 N-Channel (Three Level Inverter) | Standard | 1200V (1.2kV) | 55A | 49 mOhm @ 40A, 20V | 2.2V @ 2mA (Typ) | 98nC @ 20V | 1900pF @ 1000V | |||
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获得报价 |
983
有现货
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Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 1200V 55A SP1 | - | Active | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP1 | 250W | 2 N-Channel (Half Bridge) | Standard | 1200V (1.2kV) | 55A | 49 mOhm @ 40A, 20V | 2.2V @ 2mA (Typ) | 98nC @ 20V | 1900pF @ 1000V | |||
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获得报价 |
3,992
有现货
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Infineon Technologies | MOSFET MODULE 1200V 50A | CoolSiC™ | Active | - | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | Module | 20mW | 2 N-Channel (Dual) | Standard | 1200V (1.2kV) | 55A | 23 mOhm @ 50A, 15V | 5.5V @ 20mA | 125nC @ 5V | 3950pF @ 800V |