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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | |
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Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 800V 56A SP6 | - | Active | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Chassis Mount | SP6 | 568W | 2 N-Channel (Half Bridge) | Standard | 800V | 56A | 75 mOhm @ 28A, 10V | 3.9V @ 4mA | 364nC @ 10V | 9015pF @ 25V |