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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | |
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3,988
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Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC MOSFET | Active | - | -40°C ~ 175°C (TJ) | Chassis Mount | Module | 750W | SP3 | 4 N-Channel | Standard | 1200V (1.2kV) | 147A (Tc) | 17 mOhm @ 100A, 20V | 4V @ 30mA | 332nC @ 5V | 5576pF @ 1000V |