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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
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RFQ
2,906
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Diodes Incorporated MOSFET BVDSS: 41V 60V V-DFN3030- Active Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 1.9W V-DFN3030-8 2 N-Channel (Dual) Standard 60V 11.4A (Ta) 17 mOhm @ 8.2A, 10V 3V @ 250µA 6.2nC @ 4.5V 869pF @ 30V
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$0.20
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RFQ
2,160
有现货
Diodes Incorporated MOSFET 2 N-CH 60V 11.4A DFN3030 Active - -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 1.9W V-DFN3030-8 2 N-Channel (Dual) Standard 60V 11.4A (Ta) 17 mOhm @ 8.2A, 10V 3V @ 250µA 6.2nC @ 4.5V 869pF @ 30V
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