晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	工作温度	安装类型	包装/箱	最大功率	供应商设备包	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds
SSM6L36FE,LM		获得报价	PDF RFQ	2,572 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6	-	Active	Digi-Reel®	150°C (TJ)	Surface Mount	SOT-563, SOT-666	150mW	ES6 (1.6x1.6)	N and P-Channel	Logic Level Gate	20V	500mA, 330mA	630 mOhm @ 200mA, 5V	1V @ 1mA	1.23nC @ 4V	46pF @ 10V
SSM6L36FE,LM	单位 $0.53	获得报价	PDF RFQ	1,920 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6	-	Active	Cut Tape (CT)	150°C (TJ)	Surface Mount	SOT-563, SOT-666	150mW	ES6 (1.6x1.6)	N and P-Channel	Logic Level Gate	20V	500mA, 330mA	630 mOhm @ 200mA, 5V	1V @ 1mA	1.23nC @ 4V	46pF @ 10V
SSM6L36FE,LM	单位 $0.08	获得报价	PDF RFQ	3,923 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	MOSFET N/P-CH 20V 0.5A/0.33A ES6	-	Active	Tape & Reel (TR)	150°C (TJ)	Surface Mount	SOT-563, SOT-666	150mW	ES6 (1.6x1.6)	N and P-Channel	Logic Level Gate	20V	500mA, 330mA	630 mOhm @ 200mA, 5V	1V @ 1mA	1.23nC @ 4V	46pF @ 10V

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