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| 图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | 供应商设备包 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压（Vdss） | 25°C时的电流-连续漏极（Id） | Rds开启（最大）@Id，Vgs | Vgs（th）（最大）@Id | 栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs | 输入电容（Ciss）（最大）@Vds | |
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Toshiba Semiconductor and Storage | MOSFET N/P-CH 30V 9A/7.4A 8SOP | - | Active | Tape & Reel (TR) | 150°C (TJ) | Surface Mount | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | 450mW | 8-SOP | N and P-Channel | Logic Level Gate | 30V | 9A, 7.4A | 17 mOhm @ 4.5A, 10V | 2.3V @ 100µA | 17nC @ 10V | 1190pF @ 10V |
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