晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	工作温度	安装类型	包装/箱	最大功率	供应商设备包	FET型	FET特性	漏极-源极电压（Vdss）	25°C时的电流-连续漏极（Id）	Rds开启（最大）@Id，Vgs	Vgs（th）（最大）@Id	栅极电荷（Qg）（最大）@Vgs	输入电容（Ciss）（最大）@Vds
	APTM50AM19STG		获得报价	PDF RFQ	2,247 有现货	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 500V 170A SP4	-	Discontinued at Digi-Key	Bulk	-40°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	SP4	1250W	SP4	2 N-Channel (Half Bridge)	Silicon Carbide (SiC)	500V	170A	19 mOhm @ 85A, 10V	5V @ 10mA	492nC @ 10V	22400pF @ 25V
	APTM100A23SCTG		获得报价	PDF RFQ	2,348 有现货	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 1000V 36A SP4	-	Obsolete	Bulk	-40°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	SP4	694W	SP4	2 N-Channel (Half Bridge)	Silicon Carbide (SiC)	1000V (1kV)	36A	270 mOhm @ 18A, 10V	5V @ 5mA	308nC @ 10V	8700pF @ 25V
	APTSM120AM08CT6AG	单位 $603.88	获得报价	PDF RFQ	3,858 有现货	Microsemi Corporation	POWER MODULE - SIC	-	Active	Bulk	-40°C ~ 175°C (TJ)	Chassis Mount	SP6	2300W	SP6	2 N-Channel (Dual), Schottky	Silicon Carbide (SiC)	1200V (1.2kV)	370A (Tc)	10 mOhm @ 200A, 20V	3V @ 10mA	1360nC @ 20V	-
	APTSM120AM09CD3AG	单位 $554.29	获得报价	PDF RFQ	3,211 有现货	Microsemi Corporation	MOSFET 2 N-CH 1200V 337A MODULE	-	Active	Bulk	-40°C ~ 175°C (TJ)	Chassis Mount	Module	-	Module	2 N-Channel (Dual)	Silicon Carbide (SiC)	1200V (1.2kV)	337A (Tc)	11 mOhm @ 180A, 20V	3V @ 9mA	1224nC @ 20V	23000pF @ 1000V
	APTSM120TAM33CTPAG	单位 $548.42	获得报价	PDF RFQ	1,224 有现货	Microsemi Corporation	POWER MODULE - SIC	-	Active	Bulk	-40°C ~ 175°C (TJ)	Chassis Mount	SP6	714W	SP6	6 N-Channel (3-Phase Bridge)	Silicon Carbide (SiC)	1200V (1.2kV)	112A (Tc)	33 mOhm @ 60A, 20V	3V @ 3mA	408nC @ 20V	7680pF @ 1000V
	APTSM120AM14CD3AG	单位 $389.53	获得报价	PDF RFQ	3,373 有现货	Microsemi Corporation	POWER MODULE - SIC	-	Active	Bulk	-40°C ~ 175°C (TJ)	Chassis Mount	Module	2140W	Module	2 N-Channel (Dual), Schottky	Silicon Carbide (SiC)	1200V (1.2kV)	337A (Tc)	11 mOhm @ 180A, 20V	3V @ 9mA	1224nC @ 20V	23000pF @ 1000V
	APTSM120AM25CT3AG	单位 $241.65	获得报价	PDF RFQ	968 有现货	Microsemi Corporation	POWER MODULE - SIC	-	Active	Bulk	-40°C ~ 175°C (TJ)	Chassis Mount	SP3	937W	SP3	2 N-Channel (Dual), Schottky	Silicon Carbide (SiC)	1200V (1.2kV)	148A (Tc)	25 mOhm @ 80A, 20V	3V @ 4mA	544nC @ 20V	10200pF @ 1000V
	APTM50AM24SCG	单位 $199.54	获得报价	PDF RFQ	3,794 有现货	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 500V 150A SP6	-	Active	Bulk	-40°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	SP6	1250W	SP6	2 N-Channel (Half Bridge)	Silicon Carbide (SiC)	500V	150A	28 mOhm @ 75A, 10V	5V @ 6mA	434nC @ 10V	19600pF @ 25V
	MCB40P1200LB	单位 $186.55	获得报价	PDF RFQ	3,923 有现货	IXYS	POWER MOSFET	CoolMOS™	Active	-	-	Surface Mount	9-SMD Power Module	-	SMPD	2 N-Channel (Dual) Common Source	Silicon Carbide (SiC)	1200V (1.2kV)	58A	-	-	-	-
	APTSM120AM55CT1AG	单位 $127.84	获得报价	PDF RFQ	3,426 有现货	Microsemi Corporation	POWER MODULE - SIC	-	Active	Bulk	-40°C ~ 175°C (TJ)	Chassis Mount	SP1	470W	SP1	2 N-Channel (Dual), Schottky	Silicon Carbide (SiC)	1200V (1.2kV)	74A (Tc)	50 mOhm @ 40A, 20V	3V @ 2mA	272nC @ 20V	5120pF @ 1000V
	APTM50AM38SCTG	单位 $119.45	获得报价	PDF RFQ	2,613 有现货	Microsemi Corporation	MOSFET 2N-CH 500V 90A SP4	-	Active	Bulk	-40°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	SP4	694W	SP4	2 N-Channel (Half Bridge)	Silicon Carbide (SiC)	500V	90A	45 mOhm @ 45A, 10V	5V @ 5mA	246nC @ 10V	11200pF @ 25V
	APTM50HM75SCTG	单位 $109.90	获得报价	PDF RFQ	1,708 有现货	Microsemi Corporation	MOSFET 4N-CH 500V 46A SP4	-	Active	Bulk	-40°C ~ 150°C (TJ)	Chassis Mount	SP4	357W	SP4	4 N-Channel (H-Bridge)	Silicon Carbide (SiC)	500V	46A	90 mOhm @ 23A, 10V	5V @ 2.5mA	123nC @ 10V	5590pF @ 25V
	CAS325M12HM2	单位 $1,237.50	获得报价	PDF RFQ	3,969 有现货	Cree/Wolfspeed	MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE	Z-REC™	Active	Bulk	175°C (TJ)	-	Module	3000W	Module	2 N-Channel (Half Bridge)	Silicon Carbide (SiC)	1200V (1.2kV)	444A (Tc)	4.3 mOhm @ 400A, 20V	4V @ 105mA	1127nC @ 20V	-

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