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漏极-源极电压(Vdss) :
25°C时的电流-连续漏极(Id) :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
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Microsemi Corporation MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 - Obsolete Bulk -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP6 1136W 2 N-Channel (Dual) Standard 500V 163A 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V 5V @ 10mA 492nC @ 10V 22400pF @ 25V
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Microsemi Corporation MOSFET 2N-CH 500V 163A SP6 - Active Bulk -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP6 1136W 2 N-Channel (Half Bridge) Standard 500V 163A 22.5 mOhm @ 81.5A, 10V 5V @ 10mA 492nC @ 10V 22400pF @ 25V
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Microsemi Corporation MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 - Active Bulk -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP6 1136W 2 N-Channel (Half Bridge) Standard 200V 317A 5 mOhm @ 158.5A, 10V 5V @ 10mA 448nC @ 10V 27400pF @ 25V
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Microsemi Corporation MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 - Active Bulk -40°C ~ 150°C (TJ) Chassis Mount SP6 1136W 2 N-Channel (Dual) Standard 200V 317A 6 mOhm @ 158.5A, 10V 5V @ 10mA 448nC @ 10V 27400pF @ 25V
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