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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
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Vishay Siliconix MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO- Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Digi-Reel® -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual 34W (Tc) PowerPAK® SO-8 Dual N and P-Channel Standard 40V 30A (Tc) 7.5 mOhm @ 8A, 10V, 17 mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 30nC @ 10V, 85nC @ 10V 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
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Vishay Siliconix MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO- Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Cut Tape (CT) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual 34W (Tc) PowerPAK® SO-8 Dual N and P-Channel Standard 40V 30A (Tc) 7.5 mOhm @ 8A, 10V, 17 mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 30nC @ 10V, 85nC @ 10V 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
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Vishay Siliconix MOSFET N/P CHAN 40V POWERPAK SO- Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual 34W (Tc) PowerPAK® SO-8 Dual N and P-Channel Standard 40V 30A (Tc) 7.5 mOhm @ 8A, 10V, 17 mOhm @ 8A, 10V 2.5V @ 250µA 30nC @ 10V, 85nC @ 10V 1900pF @ 25V, 4600pF @ 25V
SQJ980AEP-T1_GE3
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Vishay Siliconix MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Cut Tape (CT) -55°C ~ 175°C (TA) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual 34W (Tc) PowerPAK® SO-8 Dual 2 N-Channel (Dual) Standard 75V 17A (Tc) 50 mOhm @ 3.8A, 10V 2.5V @ 250µA 21nC @ 10V 790pF @ 35V
SQJ980AEP-T1_GE3
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Vishay Siliconix MOSFET 2 N-CH 75V POWERPAK SO8 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Active Tape & Reel (TR) -55°C ~ 175°C (TA) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual 34W (Tc) PowerPAK® SO-8 Dual 2 N-Channel (Dual) Standard 75V 17A (Tc) 50 mOhm @ 3.8A, 10V 2.5V @ 250µA 21nC @ 10V 790pF @ 35V
AUIRFN8458TR
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Infineon Technologies MOSFET 2N-CH 40V 43A 8PQFN HEXFET® Active Tape & Reel (TR) -55°C ~ 175°C (TJ) Surface Mount 8-PowerTDFN 34W (Tc) PQFN (5x6) 2 N-Channel (Dual) Standard 40V 43A (Tc) 10 mOhm @ 26A, 10V 3.9V @ 25µA 33nC @ 10V 1060pF @ 25V
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