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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
NTLGD3502NT1G
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RFQ
3,607
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ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN - Obsolete Cut Tape (CT) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-VDFN Exposed Pad 1.74W 6-DFN (3x3) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.3A, 3.6A 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V 2V @ 250µA 4nC @ 4.5V 480pF @ 10V
NTLGD3502NT1G
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RFQ
1,186
有现货
ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN - Obsolete Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-VDFN Exposed Pad 1.74W 6-DFN (3x3) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.3A, 3.6A 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V 2V @ 250µA 4nC @ 4.5V 480pF @ 10V
NTLGD3502NT2G
单位
$0.45
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RFQ
999
有现货
ON Semiconductor MOSFET 2N-CH 20V 4.3A/3.6A 6DFN - Active Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-VDFN Exposed Pad 1.74W 6-DFN (3x3) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate 20V 4.3A, 3.6A 60 mOhm @ 4.3A, 4.5V 2V @ 250µA 4nC @ 4.5V 480pF @ 10V
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