- 零件状态 :
- 包装/箱 :
- 漏极-源极电压(Vdss) :
- 25°C时的电流-连续漏极(Id) :
- Rds开启(最大)@Id,Vgs :
- 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
- 输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 | 型号 | 价格 | 数量 | 库存 | 制造商 | 描述 | 系列 | 零件状态 | 包装材料 | 工作温度 | 安装类型 | 包装/箱 | 最大功率 | FET型 | FET特性 | 漏极-源极电压(Vdss) | 25°C时的电流-连续漏极(Id) | Rds开启(最大)@Id,Vgs | Vgs(th)(最大)@Id | 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs | 输入电容(Ciss)(最大)@Vds | |
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获得报价 |
3,426
有现货
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Microsemi Corporation | POWER MODULE - SIC | - | Active | Bulk | -40°C ~ 175°C (TJ) | Chassis Mount | SP1 | 470W | 2 N-Channel (Dual), Schottky | Silicon Carbide (SiC) | 1200V (1.2kV) | 74A (Tc) | 50 mOhm @ 40A, 20V | 3V @ 2mA | 272nC @ 20V | 5120pF @ 1000V | |||
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获得报价 |
2,153
有现货
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Transphorm | CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE | - | Last Time Buy | Bulk | -40°C ~ 150°C (TJ) | Through Hole | Module | 470W | 2 N-Channel (Half Bridge) | GaNFET (Gallium Nitride) | 600V | 70A (Tc) | 34 mOhm @ 30A, 8V | - | 28nC @ 8V | 2260pF @ 100V |