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25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
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IXYS MOSFET N/P-CH 100V 62A/54A I4PAC Trench™ Active Tube -55°C ~ 150°C (TJ) Through Hole i4-Pac™-5 89W, 132W ISOPLUS i4-PAC™ N and P-Channel Standard 100V 62A, 54A 11 mOhm @ 25A, 10V 4.5V @ 250µA 104nC @ 10V 5080pF @ 25V
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IXYS MOSFET 2N-CH 100V 100A I5-PAK Trench™ Active Tube -55°C ~ 175°C (TJ) Through Hole ISOPLUSi5-Pak™ 150W ISOPLUSi5-Pak™ 2 N-Channel (Dual) Standard 100V 100A 7.4 mOhm @ 50A, 10V 4.5V @ 250µA 151nC @ 10V 6900pF @ 25V
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