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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
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1,274
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Renesas Electronics America MOSFET 2P-CH 12V 4A 6HUSON - Obsolete Tape & Reel (TR) 150°C (TJ) Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad 2.3W 6-HUSON (2x2) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate, 1.8V Drive 12V 4A 67 mOhm @ 2A, 4.5V - 5nC @ 4.5V 486pF @ 10V
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658
有现货
Renesas Electronics America MOSFET 2P-CH 20V 3A 6HUSON - Obsolete Tape & Reel (TR) 150°C (TJ) Surface Mount 6-WDFN Exposed Pad 2.3W 6-HUSON (2x2) 2 P-Channel (Dual) Logic Level Gate, 1.8V Drive 20V 3A 79 mOhm @ 1.5A, 4.5V - 5.1nC @ 4.5V 473pF @ 10V
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963
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Renesas Electronics America MOSFET 2N-CH 20V 4A 6SON - Active Tape & Reel (TR) 150°C (TJ) Surface Mount 6-PowerWDFN 2.3W 6-HUSON (2x2) 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 2.5V Drive 20V 4A 62 mOhm @ 2A, 4.5V - 4.5nC @ 10V 330pF @ 10V
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2,562
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Renesas Electronics America MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON - Active Tape & Reel (TR) 150°C (TJ) Surface Mount 6-PowerWDFN 2.3W 6-HUSON (2x2) N and P-Channel Complementary Logic Level Gate, 2.5V Drive 20V 4A, 3A 42 mOhm @ 2A, 4.5V - 4.5nC @ 10V 330pF @ 10V
PMDPB95XNE2X
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2,739
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Nexperia USA Inc. MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON - Active Digi-Reel® -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 510mW (Ta) 6-HUSON (2x2) 2 N-Channel (Dual) Standard 30V 2.7A (Ta) 99 mOhm @ 2.8A, 4.5V 1.25V @ 250µA 4.5nC @ 4.5V 258pF @ 15V
PMDPB95XNE2X
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1,796
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Nexperia USA Inc. MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON - Active Cut Tape (CT) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 510mW (Ta) 6-HUSON (2x2) 2 N-Channel (Dual) Standard 30V 2.7A (Ta) 99 mOhm @ 2.8A, 4.5V 1.25V @ 250µA 4.5nC @ 4.5V 258pF @ 15V
PMDPB95XNE2X
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RFQ
3,669
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Nexperia USA Inc. MOSFET 2 N-CH 30V 2.7A 6HUSON - Active Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 6-UDFN Exposed Pad 510mW (Ta) 6-HUSON (2x2) 2 N-Channel (Dual) Standard 30V 2.7A (Ta) 99 mOhm @ 2.8A, 4.5V 1.25V @ 250µA 4.5nC @ 4.5V 258pF @ 15V
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