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25°C时的电流-连续漏极(Id) :
Rds开启(最大)@Id,Vgs :
栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs :
输入电容(Ciss)(最大)@Vds :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs Vgs(th)(最大)@Id 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
BSZ0910NDXTMA1
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RFQ
3,097
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Infineon Technologies DIFFERENTIATED MOSFETS OptiMOS™ Active Digi-Reel® -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 1.9W (Ta), 31W (Tc) PG-WISON-8 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 4.5V Drive 30V 9.5A (Ta), 25A (Tc) 9.5 mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 5.6nC @ 4.5V 800pF @ 15V
BSZ0910NDXTMA1
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$1.22
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RFQ
1,553
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Infineon Technologies DIFFERENTIATED MOSFETS OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 1.9W (Ta), 31W (Tc) PG-WISON-8 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 4.5V Drive 30V 9.5A (Ta), 25A (Tc) 9.5 mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 5.6nC @ 4.5V 800pF @ 15V
BSZ0910NDXTMA1
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$0.45
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RFQ
1,544
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Infineon Technologies DIFFERENTIATED MOSFETS OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 1.9W (Ta), 31W (Tc) PG-WISON-8 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 4.5V Drive 30V 9.5A (Ta), 25A (Tc) 9.5 mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 5.6nC @ 4.5V 800pF @ 15V
BSZ0909NDXTMA1
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2,305
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Infineon Technologies MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8 OptiMOS™ Active Digi-Reel® -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 17W PG-WISON-8 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 4.5V Drive 30V 20A (Tc) 18 mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 2.6nC @ 4.5V 360pF @ 15V
BSZ0909NDXTMA1
单位
$1.20
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RFQ
3,926
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Infineon Technologies MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8 OptiMOS™ Active Cut Tape (CT) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 17W PG-WISON-8 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 4.5V Drive 30V 20A (Tc) 18 mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 2.6nC @ 4.5V 360pF @ 15V
BSZ0909NDXTMA1
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$0.44
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RFQ
3,750
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Infineon Technologies MOSFET 2 N-CH 30V 20A WISON-8 OptiMOS™ Active Tape & Reel (TR) -55°C ~ 150°C (TJ) Surface Mount 8-PowerVDFN 17W PG-WISON-8 2 N-Channel (Dual) Logic Level Gate, 4.5V Drive 30V 20A (Tc) 18 mOhm @ 9A, 10V 2V @ 250µA 2.6nC @ 4.5V 360pF @ 15V
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