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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 FET型 FET特性 漏极-源极电压(Vdss) 25°C时的电流-连续漏极(Id) Rds开启(最大)@Id,Vgs 栅极电荷(Qg)(最大)@Vgs 输入电容(Ciss)(最大)@Vds
TPD3215M
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$185.08
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RFQ
2,153
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Transphorm CASCODE GAN HB 600V 70A MODULE - Last Time Buy Bulk -40°C ~ 150°C (TJ) Through Hole Module 470W 2 N-Channel (Half Bridge) GaNFET (Gallium Nitride) 600V 70A (Tc) 34 mOhm @ 30A, 8V 28nC @ 8V 2260pF @ 100V
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