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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 晶体管型 集电器(Ic)(最大值) 电压-集电极-发射极击穿(最大) Vce饱和(最大)@Ib,Ic 集电器截止(最大) 直流电流增益(hFE)(最小)@Ic,Vce
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Toshiba Semiconductor and Storage X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR U-MOSVII Active - 150°C (TJ) Surface Mount SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 1.6W VS-6 (2.9x2.8) NPN 1.5A 30V 120mV @ 10mA, 500mA 100nA (ICBO) 400 @ 150mA, 2V
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