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集电器(Ic)(最大值) :
电压-集电极-发射极击穿(最大) :
直流电流增益(hFE)(最小)@Ic,Vce :
频率转换 :
噪声系数(dB,典型@f) :
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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 工作温度 安装类型 包装/箱 最大功率 供应商设备包 晶体管型 集电器(Ic)(最大值) 电压-集电极-发射极击穿(最大) 直流电流增益(hFE)(最小)@Ic,Vce 频率转换 噪声系数(dB,典型@f) 获得
MT3S20TU(TE85L)
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Toshiba Semiconductor and Storage TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM - Discontinued at Digi-Key Digi-Reel® 150°C (TJ) Surface Mount 3-SMD, Flat Leads 900mW UFM NPN 80mA 12V 100 @ 50mA, 5V 7GHz 1.45dB @ 20mA, 5V 12dB
MT3S20TU(TE85L)
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Toshiba Semiconductor and Storage TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM - Discontinued at Digi-Key Cut Tape (CT) 150°C (TJ) Surface Mount 3-SMD, Flat Leads 900mW UFM NPN 80mA 12V 100 @ 50mA, 5V 7GHz 1.45dB @ 20mA, 5V 12dB
MT3S20TU(TE85L)
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RFQ
1,387
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Toshiba Semiconductor and Storage TRANS RF NPN 7GHZ 80MA UFM - Active Tape & Reel (TR) 150°C (TJ) Surface Mount 3-SMD, Flat Leads 900mW UFM NPN 80mA 12V 100 @ 50mA, 5V 7GHz 1.45dB @ 20mA, 5V 12dB
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Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N - Active Digi-Reel® 150°C (TJ) Surface Mount 3-SMD, Flat Leads 900mW UFM NPN 100mA 5.3V 200 @ 30mA, 5V 11.2GHz 1.45dB @ 1GHz 12.5dB
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Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N - Active Cut Tape (CT) 150°C (TJ) Surface Mount 3-SMD, Flat Leads 900mW UFM NPN 100mA 5.3V 200 @ 30mA, 5V 11.2GHz 1.45dB @ 1GHz 12.5dB
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Toshiba Semiconductor and Storage RF SIGE HETEROJUNCTION BIPOLAR N - Active Tape & Reel (TR) 150°C (TJ) Surface Mount 3-SMD, Flat Leads 900mW UFM NPN 100mA 5.3V 200 @ 30mA, 5V 11.2GHz 1.45dB @ 1GHz 12.5dB
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