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图片 型号 价格 数量 库存 制造商 描述 系列 零件状态 包装材料 安装类型 包装/箱 供应商设备包 二极管型 电流-平均整流(Io) 正向电压(Vf)(最大)@If 电流-反向泄漏@Vr 电压-直流反向(Vr)(最大) 速度 反向恢复时间(trr) 工作温度-结 电容@Vr,F
BYC30W-1200PQ
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RFQ
2,457
有现货
WeEn Semiconductors DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247-2 - Active Tube Through Hole TO-247-2 TO-247-2 Standard 30A 3.3V @ 30A 250µA @ 1200V 1200V Fast Recovery = 200mA (Io) 65ns 175°C (Max) -
BYC30-1200PQ
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RFQ
695
有现货
WeEn Semiconductors DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220AC - Active - Through Hole TO-220-2 TO-220AC Standard 30A 3.3V @ 30A 250µA @ 1200V 1200V Fast Recovery = 200mA (Io) 65ns 175°C (Max) -
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RFQ
2,316
有现货
WeEn Semiconductors BYC30DW-600PQ/TO247/STANDARD MAR - Active - Through Hole TO-247-2 TO-247-2 Standard 30A 3.3V @ 30A 10µA @ 600V 600V Fast Recovery = 200mA (Io) 33ns 175°C (Max) -
APT30DQ120KG
单位
$1.81
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RFQ
3,117
有现货
Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO220 - Active Tube Through Hole TO-220-3 TO-220 [K] Standard 30A 3.3V @ 30A 100µA @ 1200V 1200V Fast Recovery = 200mA (Io) 320ns -55°C ~ 175°C -
APT30DQ120BG
单位
$3.64
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RFQ
3,618
有现货
Microsemi Corporation DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 - Active Tube Through Hole TO-247-2 TO-247 [B] Standard 30A 3.3V @ 30A 100µA @ 1200V 1200V Fast Recovery = 200mA (Io) 320ns -55°C ~ 175°C -
ISL9R30120G2
单位
$3.50
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RFQ
1,365
有现货
ON Semiconductor DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 Stealth™ Active Tube Through Hole TO-247-2 TO-247-2 Standard 30A 3.3V @ 30A 100µA @ 1200V 1200V Fast Recovery = 200mA (Io) 100ns -55°C ~ 150°C -
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