二极管 - 整流器 - 单 - 深圳市恒森鑫电子有限公司

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图片	型号	价格	数量		库存	制造商	描述	系列	零件状态	包装材料	安装类型	包装/箱	供应商设备包	二极管型	电流-平均整流（Io）	正向电压（Vf）（最大）@If	电流-反向泄漏@Vr	电压-直流反向（Vr）（最大）	速度	反向恢复时间（trr）	工作温度-结	电容@Vr，F
	FFP04H60STU		获得报价	PDF RFQ	2,517 有现货	ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 600V 4A TO220-2L	-	Obsolete	Tube	Through Hole	TO-220-2	TO-220-2L	Standard	4A	2.1V @ 4A	100µA @ 600V	600V	Fast Recovery = 200mA (Io)	45ns	-65°C ~ 150°C	-
	FFP04S60STU		获得报价	PDF RFQ	2,337 有现货	ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 600V 4A TO220-2L	Stealth™	Obsolete	Tube	Through Hole	TO-220-2	TO-220-2L	Standard	4A	2.6V @ 4A	100µA @ 600V	600V	Fast Recovery = 200mA (Io)	25ns	-65°C ~ 150°C	-
	TRS8E65C,S1Q	单位 $7.07	获得报价	PDF RFQ	2,827 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 650V 8A TO220-2L	-	Active	Tube	Through Hole	TO-220-2	TO-220-2L	Silicon Carbide Schottky	8A (DC)	1.7V @ 8A	90µA @ 650V	650V	No Recovery Time > 500mA (Io)	0ns	175°C (Max)	44pF @ 650V, 1MHz
	TRS6E65C,S1AQ	单位 $5.81	获得报价	PDF RFQ	962 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 650V 6A TO220-2L	-	Not For New Designs	Tube	Through Hole	TO-220-2	TO-220-2L	Silicon Carbide Schottky	6A (DC)	1.7V @ 6A	90µA @ 650V	650V	No Recovery Time > 500mA (Io)	0ns	175°C (Max)	35pF @ 650V, 1MHz
	FFP08S60STU	单位 $0.93	获得报价	PDF RFQ	1,616 有现货	ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2L	Stealth™	Active	Tube	Through Hole	TO-220-2	TO-220-2L	Standard	8A	2.6V @ 8A	100µA @ 600V	600V	Fast Recovery = 200mA (Io)	30ns	-65°C ~ 150°C	-
	FFP15S60STU	单位 $1.08	获得报价	PDF RFQ	1,140 有现货	ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2L	Stealth™	Active	Tube	Through Hole	TO-220-2	TO-220-2L	Standard	15A	2.6V @ 15A	100µA @ 600V	600V	Fast Recovery = 200mA (Io)	35ns	-	-
	TRS12E65C,S1Q	单位 $11.57	获得报价	PDF RFQ	3,470 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 650V 12A TO220-2L	-	Active	Tube	Through Hole	TO-220-2	TO-220-2L	Silicon Carbide Schottky	12A (DC)	1.7V @ 12A	90µA @ 170V	650V	No Recovery Time > 500mA (Io)	0ns	175°C (Max)	65pF @ 650V, 1MHz
	TRS10E65C,S1Q	单位 $11.20	获得报价	PDF RFQ	1,967 有现货	Toshiba Semiconductor and Storage	DIODE SCHOTTKY 650V 10A TO220-2L	-	Active	Tube	Through Hole	TO-220-2	TO-220-2L	Silicon Carbide Schottky	10A (DC)	1.7V @ 10A	90µA @ 650V	650V	No Recovery Time > 500mA (Io)	0ns	175°C (Max)	-
	FFP30S60STU	单位 $1.34	获得报价	PDF RFQ	1,879 有现货	ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 600V 30A TO220-2L	Stealth™	Active	Tube	Through Hole	TO-220-2	TO-220-2L	Standard	30A	2.6V @ 30A	100µA @ 600V	600V	Fast Recovery = 200mA (Io)	40ns	-65°C ~ 150°C	-
	FFP08S60SNTU	单位 $1.03	获得报价	PDF RFQ	1,411 有现货	ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2L	STEALTH™ II	Active	Tube	Through Hole	TO-220-2	TO-220-2L	Standard	8A	3.4V @ 8A	100µA @ 600V	600V	Fast Recovery = 200mA (Io)	32ns	-65°C ~ 150°C	-
	FFP08H60STU	单位 $0.87	获得报价	PDF RFQ	2,360 有现货	ON Semiconductor	DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2L	-	Active	Tube	Through Hole	TO-220-2	TO-220-2L	Standard	8A	2.1V @ 8A	100µA @ 600V	600V	Fast Recovery = 200mA (Io)	45ns	-65°C ~ 150°C	-

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